ZXMP6A17KTC 与 SPD18P06P G 区别
| 型号 | ZXMP6A17KTC | SPD18P06P G | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-ZXMP6A17KTC | A-SPD18P06P G | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 6.22mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 130mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 5.8ns | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22nC | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 637 pF @ 30 V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 10V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4S | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 17.7 nC @ 10 V | - | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.4A(Ta) | 18.6A | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 长度 | - | 6.5mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 11ns | ||||||||
| 高度 | - | 2.3mm | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.11W(Ta) | 80W | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 125mΩ@2.3A,10V | - | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 24.5ns | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 系列 | - | SPD18P06 | ||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 12ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 7,336 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 2.11W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 4.4A(Ta) |
¥2.2253
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7,336 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
¥1.43
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11,068 | 对比 | ||||||||||
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AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
¥5.64
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2,493 | 对比 | ||||||||||
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SPD18P06P G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 18.6A 130mΩ 10V 80W P-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |